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三星电子将利用其位于美国得克萨斯州泰勒市的第二座晶圆代工厂，为AMD和英伟达生产高带宽内存芯片的基础裸片。
该工厂预计将于本月正式动工，且全部产能已获得订单，其中大部分订单来自AMD。该工厂将采用先进的2纳米制程技术，占地约270万平方英尺，规模约为三星首座工厂的1.5倍。三星首座工厂已与特斯拉签订合同。据悉，该工厂预计将于2029年2月开始安装设备，并于2030年启动量产。
（文章来源：财联社）
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