国产DRAM龙头长鑫科技正在资本市场走出一轮跌宕起伏的行情。10月19日，其盘中报价41元，跌幅一度近9%，10月20日盘中一度跌超4%，直到10月21日才翻红报收40.97元，涨1.61%。
虽然长鑫科技此前刚抛出一份增长的前三季度预报，但资本市场“炒”的更多还是预期。面对外界对DRAM涨价见顶的担忧，长鑫科技将180亿元超募资金投向研发，能否让它建立起技术壁垒穿越周期？
股价跌宕起伏
对于市值曾冲上4.2万亿元的长鑫科技来说，如今2.78万亿元的市值相较峰值已缩水约三成。
本轮行情中，最有代表性的一个交易日是10月19日。当日长鑫科技股价收于41.52元，跌7.77%。不过这并不是它的股价最低时刻。
长鑫科技今年7月27日登陆A股，发行价为8.66元。它股价的52周最低点就是上市首日盘中创下的38.11元。当时有业内人士在跟《华夏时报》记者交流时认为，大量打新中签的筹码在首日开盘后集中抛售是重要原因。此外，其52周最高点则是8月17日盘中创下的61.8元。
10月19日，长鑫科技还成为A股资金博弈最激烈的单一标的。
公开资料显示，当天沪深两市合计成交额约1.44万亿元，只有3只个股成交额超过百亿元，其中长鑫科技的成交额约181亿元，位居第一。此外，长鑫科技当天的换手率为9.6%，这意味着它的流通筹码在一天之内有近十分之一换手，在当日成交额TOP20的个股中换手率最高。
不过长鑫科技股价的跌宕起伏并不是一桩孤立事件。10月19日，A股存储芯片股开盘普跌，其中芯朋微、和林微纳盘中股价都跌超10%。从全球市场来看，海外存储板块也已率先进行调整：10月16日，美光科技收跌5.63%，而在前一日，SK海力士和三星电子股价均下跌约10%。
对于存储板块的股价波动，透镜研究创始人况玉清在跟《华夏时报》记者交流时认为，目前全球存储板块外围环境不太好，特别是存储业务主导的三星和海力士股价都下跌严重，“现在全球资本市场对存储的预期信心出现了阶段性的松动，但这个松动是阶段性的，还是拐点性的，现在还不好判断。”
有意思的是，对于长鑫科技的股价，高盛和瑞银两家投行在10月20日给出了相反预期。高盛将目标价从129元上调至130元，维持“买入”，并上调了长鑫科技2026至2030年的盈利预测。瑞银则将目标价从80元下调至76元，维持“买入”，同时将长鑫科技2026年盈利预测下调5.5%。
DRAM周期何时见顶
在10月19日股价下跌前，长鑫刚抛出了一份不低于10亿元，不超过20亿元的股价回购提议，以及一份同比大增的前三季度业绩预报。
10月16日晚间，长鑫科技宣布，预计今年前三季度营业收入约为2650亿元至2700亿元，
归母净利润约为1310亿元至1325亿元。作为对比，其去年前三季度营业收入只有320.84亿元，归母净利润为-52.8亿元。聚焦到今年Q3，长鑫科技当期净利润预计在533.95亿元至548.95亿元之间，日均盈利约5.8亿元—5.97亿元。
但就是这份同比扭亏为盈、大幅增长的业绩预报，成为长鑫科技这轮跌宕行情的导火索之一。
最大的根结在于环比。根据业绩预告，长鑫科技今年Q3净利润的环比增幅约在1%—3.9%之间，但今年Q1、Q2它的净利润环比增速分别高达246.09%和113.4%。
相较于Q2净利润环比增速的几乎腰斩，长鑫科技Q3净利润的环比增速显然下降得更快。这也牵出一个资本市场持续关心的问题，通用型DRAM的短缺将持续到何时，作为本轮存储风口的受益者，长鑫科技的红利期又将持续到何时？
据《华夏时报》记者了解，自去年以来，通用型DRAM价格持续上涨，主要源于AI需求爆发挤占了通用DRAM的产能，存储巨头将大量产能转向毛利更高的HBM（高带宽内存），导致通用型DRAM供应不足、价格飙涨。
但根据TrendForce集邦咨询今年9月末发布的报告，2026年Q4通用型DRAM合约价预计将环比季增10%至15%。这意味着今年Q4通用DRAM价格的进一步放缓。作为对比，其此前预计，通用型DRAM的合约价格今年Q1季增90%—95%，今年Q2季增58%—63%，今年Q3则是季增13%—18%。
不过，TrendForce集邦咨询分析师许家源对《华夏时报》记者表示，DRAM今年Q4涨价增速放缓，主要系比较基期已垫高，涨价绝对金额仍可观，此外PC、手机等消费端对存储价格上涨的承受能力有限，亦是主要原因，“原厂持续将位元供给转向Server应用，以优化自身平均出货价格。”
许家源还对本报记者表示，TrendForce目前预估，DRAM市场可能在2028年达到供需平衡，反映原厂新厂产能陆续加速投放，逐步跟上AI云端资本支出的成长所需。
高额资本开支
面对存储行业的波动与周期隐忧，长鑫科技给出的应对之一是在研发和产能上持续高投入。
10月19日，长鑫科技召开第二次临时股东大会，通过的议案之一是拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目，同时，还拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司提供超募资金50亿元，由其新建“长鑫存储产品（合肥）有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目”。而这两个项目的总投资金额预计为349亿元。
其中，长鑫科技的新建技术研发项目计划投资总额241亿元，建设周期30个月，设备购置费占投资总额的近93%。公告还显示，该研发项目不单独进行投资回报测算，最终产生的经济利益，是通过技术赋能公司主营产品，促进公司主营业务增长表现出来的。有业内人士在跟本报记者交流时认为，这大概率是长鑫在为下一代DRAM技术平台做准备。
需要提及的是，9月20日，长鑫科技在世界制造业大会上宣布其第五代DRAM技术平台（下称“G5平台”）实现量产。公开资料显示，依据DUV四重曝光技术，长鑫科技把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米。这个数字被认为已经进入当前DRAM量产工艺第一梯队的门槛。
10月21日，长鑫科技方面还对《华夏时报》记者表示，G5平台目前有LPDDR5X量产产品，主要应用在消费电子终端，例如手机、笔记本电脑、移动端产品上，并已在常规客户上逐步导入。对于消费电子之外的应用领域，长鑫科技方面还对记者表示，工艺平台主要是制造端的迭代，产品使用方向还是要看需求端的情况。
而对于国产存储企业如何缩小与全球存储巨头的差距，智参智库特聘专家袁博认为，国产存储芯片企业需要通过芯片的系统架构与工程工艺的创新实现“换道超车”，例如采用更高效的架构，降低和先进企业的差距，避免在EUV这个赛道上和国际巨头被动竞争。
他同时对《华夏时报》记者表示，国产存储企业还应抓住国产化的机遇，一方面利用国产刚需弥补技术验证成本，加速先进工艺的迭代与良率爬坡，另一方面，利用国内庞大的基础市场锁定长期订单，在研发投入较高、初期成本偏高的阶段，依靠稳定国内基本盘维持产能利用率，“通过持续扩大国内市场份额，避免和国际巨头直接价格战陷入被动。”
（文章来源：华夏时报）
