9月16日，据三位知情人士向路透社表示，韩国芯片制造商SK海力士正与英特尔洽谈一项协议，有望首次在美国本土生产存储芯片。

　　截至发稿时，英特尔美股盘前涨近5%；SK海力士美股ADR涨近3%。截至9月16日收盘，韩国KOSPI指数收涨1.37%，报6717.97点；SK海力士韩股涨4.08%。

　　知情人士透露，在一种可能的方案中，SK海力士将租用英特尔在俄亥俄州规划已久的芯片制造工厂的部分设施。另有两种方案是，SK海力士可能与英特尔以及急于锁定存储芯片供应的大型云服务公司成立合资企业。

　　人工智能和数据中心领域的持续投资引发存储芯片严重短缺，美国监管层此前一直在向芯片制造商施加更大压力，要求其在美国建厂。但消息人士称，韩国政府的潜在反对可能是一大障碍。其中一位消息人士称，谈判尚属探索性质，尚未做出任何决定，并补充说SK海力士也可能考虑其他交易结构。

　　对于SK海力士可能在俄亥俄州生产何种类型的芯片，路透社表示尚无法获悉。SK海力士产品线包括用于服务器、个人电脑和智能手机的DRAM芯片，以及提供长期存储的NAND闪存芯片。它还是用于AI处理单元的HBM芯片的领先供应商。

　　两位消息人士向路透社表示，在美国制造半导体的成本远高于韩国。其中一位表示，在美国建厂涉及显著更高的劳动力和建筑成本，而且半导体行业的供应链大部分位于亚洲，这进一步增加了成本。

　　SK海力士目前在美国印第安纳州有一座在建的芯片封装厂。SK海力士所属的SK集团董事长崔泰源曾在今年7月公开表态，该公司面临客户要求其供应更多芯片的巨大压力，正在全球范围内为SK海力士物色存储芯片生产基地。

　　据《朝鲜日报》7月19日报道，崔泰源在一场记者会上表示，当前存储芯片价格处于“异常高位”。“即便站在半导体企业自身角度，也必须扩大供给以压低芯片售价。”他补充称，出于扩充产能、应对贸易压力两大核心考量，SK海力士正规划在美国新建半导体工厂。

　　与SK海力士达成协议，也将在一定程度上缓解英特尔的财务压力。英特尔于2022年宣布，将投资高达1000亿美元，在美国俄亥俄州建设芯片制造综合体项目。该项目原定于2025年开始投产，但建设时间表已多次推迟。该厂址的两座工厂的完工时间目前被推迟至2030年和2031年。

（文章来源：上海证券报）