三星电子计划第三季度量产SiC功率半导体样品
2026年03月16日 14:09
来源: 科创板日报
小 中 大
东方财富APP

方便,快捷

手机查看财经快讯

专业,丰富

一手掌握市场脉搏

  三星电子计划于今年第三季度量产SiC(碳化硅)功率半导体样品,该公司近期已订购原材料和组件。据悉,三星电子将量产的首款样品是一款平面SiC MOSFET。MOSFET是一种用于开关和放大电子信号的晶体管。

(文章来源:科创板日报)

文章来源:科创板日报 责任编辑:70
原标题:三星电子计划第三季度量产SiC功率半导体样品
郑重声明:东方财富发布此内容旨在传播更多信息,与本站立场无关,不构成投资建议。据此操作,风险自担。
举报
分享到微信朋友圈

打开微信,

点击底部的“发现”

使用“扫一扫”

即可将网页分享至朋友圈

扫描二维码关注

东方财富官网微信


扫一扫下载APP

扫一扫下载APP
信息网络传播视听节目许可证:0908328号 经营证券期货业务许可证编号:913101046312860336 违法和不良信息举报:021-61278686 举报邮箱:jubao@eastmoney.com
沪ICP证:沪B2-20070217 网站备案号:沪ICP备05006054号-11 沪公网安备 31010402000120号 版权所有:东方财富网 意见与建议:4000300059/952500