10月28日10时09分，科创芯片设计ETF易方达（589030）盘中涨幅为2.60%，最新价报0.907元，较昨收0.884元上涨0.023元。该ETF今日以0.909元高开，盘中最高触及0.92元，最低回落至0.896元，价格在区间内维持震荡。截至快照时点，成交额约2867.9万元。

　　科创芯片设计板块今日集体走强，驱动因素主要有以下几方面。首先，海外半导体情绪升温，美股AI反弹行情延续，费城半导体指数大涨3.6%，韩国首尔综指盘中涨超6%，三星电子涨9%、SK海力士涨超8%，全球芯片风险偏好回暖形成正向传导。其次，存储链业绩全面兑现，SK海力士第三季度运营利润83.33万亿韩元，大幅超过市场预期的77.5万亿韩元，并宣布回购20万亿韩元股票；希捷科技第一财季营收42亿美元，同比增长60%，调整后每股收益7.68美元高于预期，“存储荒”预计持续至2027年，HBM价格明年有望翻倍。再次，先进制造链提价预期升温，台积电等晶圆代工及封测从业者酝酿将CoWoS先进封装报价上调10%至20%，芯片设计作为产业链上游环节有望同步受益于制造环节景气传导。此外，增量资金预期与板块个股表现形成共振，长鑫科技上市满三个月有望纳入上证指数及科创综指，指数纳入窗口打开带来被动增量资金预期；板块内中晶科技、富瀚微、普冉股份、凯华材料、联动科技、思瑞浦等表现活跃，中晶科技一字涨停，联动科技涨超10%。大盘方面，创业板指盘中涨超2%，沪指涨0.69%，深成指涨1.34%，半导体芯片、算力硬件等方向领涨两市。

　　机构认为，券商分析指出，市场在明显超调后修复行情启动，半导体芯片方向具备业绩兑现与估值修复双重逻辑，科创板成长资产修复动能明确，芯片设计环节兼具产业景气与估值弹性。加拿大皇家银行资本市场研报认为，随着AI需求持续超过供给，存储价格上涨有望支撑整体DRAM平均销售价格，存储景气周期延长至2027年的确定性较强，HBM价格明年有望翻倍，产业链上中下游共振格局有望延续，设计环节盈利弹性值得重视。

　　关联产品：科创芯片设计ETF易方达（589030）