中证报中证网讯（记者王佳飞）武汉天源10月14日晚公告称，公司与楚雄高新技术产业开发区管理委员会就投资建设“楚雄高新区年产200吨6N/7N级高纯铟及年产100吨磷化铟多晶生产基地项目”签署合作协议，计划总投资约5亿元。

　　当前，全球新一轮科技革命和产业变革深入演进，以人工智能、大数据、云计算、物联网为代表的新一代信息技术加速突破，半导体材料作为电子信息产业的物质基础和底层支撑，其战略地位日益凸显。特别是随着算力基础设施大规模建设、光通信网络持续升级以及新能源、智能驾驶等新兴产业快速崛起，高端半导体材料需求呈现出总量扩张与结构升级并行的态势。

　　近年来，我国相继出台了一系列支持半导体材料、稀贵金属新材料产业发展的政策措施，为高纯金属及化合物半导体材料的产业化创造了良好的政策环境和发展空间。在此背景下，围绕高纯铟及磷化铟多晶开展规模化、工程化生产，既是顺应产业发展大势的必然选择，也是落实国家战略部署的具体行动。

　　武汉天源主业聚焦环境治理与绿色能源两大领域，是一家集技术研发、项目投资、工程建设、装备制造、运营服务于一体的综合性环保能源企业。本项目达产后，将形成6N/7N级高纯铟200吨/年、磷化铟多晶100吨/年的生产能力。该项目分高纯铟生产系统（约15亩）与磷化铟多晶生产系统（约30亩）两部分布置，配套建设洁净厂房、超纯水车间、研发中心及环保处理设施。

　　武汉天源表示，半导体新材料作为公司未来重点发展方向，将与原有环保、绿色能源业务形成周期互补，构建双轮驱动格局。项目建成并达产后，公司将依托产业链协同优势，有效丰富业务品类、拓宽营收渠道，对未来长期经营发展具有积极影响。

（文章来源：中国证券报·中证网）