就在明日，为期三天的2026年韩国半导体展览会（SEDEX 2026）即将在韩国首尔拉开帷幕。

　　本次展览会主题为“迈入硅智能时代”。作为韩国唯一覆盖全产业链的综合性半导体专业展，存储、代工、半导体材料及零部件领域的企业基本都会到场参展，共同探讨半导体技术作为人工智能核心资源的未来发展方向。

　　近日，韩国半导体产业协会（KSIA）宣布，会议将于14日至16日在首尔江南COEX会展中心举办。包括三星电子和SK海力士在内的300家公司将参展，共设立888个展位。与去年相比，参展公司增加了约70家，展位数量增加了约230个，创历史新高。

　　值得注意的是，三星电子、SK海力士均将于此展出下一代存储方案。

　　其中，三星电子将展示适用于云计算、边缘计算和物理人工智能领域的下一代存储结构和产品。这些产品包括高带宽内存（HBM）、移动图像传感器、移动处理器、用于汽车的高可靠性半导体、半导体代工解决方案和3D存储结构。

　　SK海力士预计将发布下一代内存技术，包括第七代HBM（HBM4E）和高带宽闪存（HBF）。此外，该公司还将展示用于服务器、PC和移动设备的DRAM和固态硬盘（SSD）实物产品。此外，公司研发事业部总裁安铉（Ahn Hyun）还将发表题为“探寻人工智能时代内存创新方向”的演讲。

　　在会议之外，上述存储两巨头同样积极推进下一代存储技术。

　　就在昨日，SK海力士公布了自主研发的用于SSD的紧凑型处理器 (H-TPU)的具体结构和性能，它将通用CPU处理的重复性任务分配给大约100个H-TPU，从而降低了功耗和芯片面积。

　　公司表示：“目前，SSD控制器内部的通用CPU在功耗和面积方面都已达到极限。而SK海力士开发了H-TPU，可以高效地处理常见的输入/输出（I/O）传输路径。”其计划将H-TPU技术应用于包括下一代企业级固态硬盘（eSSD）控制器在内的各种NAND闪存产品线，还将应用于下一代AI存储架构“Storage Next”。

　　几乎同一时间，三星电子被曝正在初步研发三种类型的z-NAND闪存，除了最近发布的z-NAND-O之外，还包括z-NAND-T和z-NAND-I 。前者专为高吞吐量而设计，能最大限度地提高带宽；后者最大程度地提高了 IOPS，可以每秒完成更多的数据 I/O 操作。

　　眼下，存储技术演进与AI需求深度绑定。开源证券指出，数据规模持续增长与AI算力需求释放，推动存储由配套支撑环节升级为影响算力效率的关键基础设施。供需层面，AI服务器与高容量内存需求扩张，HBM迭代带动单芯片容量及晶圆投入提升，产能向高附加值产品集中。

　　该机构判断，叠加新增产能释放周期较长、云厂商通过长约锁定供应，存储价格与供应商议价能力获得支撑。AI需求正成为存储产业重要增长引擎，技术升级与供给结构优化有望推动产业价值提升。

（文章来源：财联社）