中信建投证券研报称，多相TLVR电感是大势所趋。AI芯片电感未来三大产业趋势：1、单相电感走向多相电感，密度提升；2、水平供电转向VPD垂直供电，供电效率提升；3、NON-TTLVR转向TLVR电感，价值量提升。多相TLVR电感将成为必须。
AI芯片电感从2025年到2028年市场规模扩容10倍以上。未来芯片电感面临多重驱动，随着AI芯片出货增加、芯片功率上升、电感性能升级，AI芯片电感市场规模将快速扩容，规模增速=芯片出货倍数×功率提升倍数×单颗价值提升倍数。预计市场规模将从2025年的24亿提升至2028年的超300亿。
全文如下
中信建投：TLVR芯片电感单位价值量提升，行业空间极速扩容
多相TLVR电感是大势所趋。AI芯片电感未来三大产业趋势：1、单相电感走向多相电感，密度提升；2、水平供电转向VPD垂直供电，供电效率提升；3、NON-TTLVR转向TLVR电感，价值量提升。多相TLVR电感将成为必须。
AI芯片电感从2025年到2028年市场规模扩容10倍以上。未来芯片电感面临多重驱动，随着AI芯片出货增加、芯片功率上升、电感性能升级，AI芯片电感市场规模将快速扩容，规模增速=芯片出货倍数×功率提升倍数×单颗价值提升倍数。预计市场规模将从2025年的24亿提升至2028年的超300亿。
量、价、结构三重驱动，AI芯片电感市场急速扩容
芯片功率上升，带来AI芯片电感用量线性增长。GPU、TPU芯片的标准工作电压在1V附近，核心Vcore长期维持在0.7-0.85V的区间范围；芯片电流=TDP/核心电压，电压保持不变（1V或低于1V），因此功率提升将带来电流等比例放大，单颗电感电流不变下，所需电感数量线性增加。未来随着芯片功耗的进一步增长，单芯片用电感量将继续上升。
三次电源面临的四大约束，AI芯片电感迭代升级：1、损耗问题，电流越来越大，损耗越来越大；2、散热压力大，大功率带来更大发热量；3、电流大需要更多器件分流，但主板空间有限，三次电源空间非常拥挤；4、高瞬态问题，即Vdrop，电流快速变化导致传输路径电压跌落，一次跌落幅度过大会影响GPU正常工作，但负载功率波动越来越剧烈。
AI芯片电感升级三大方向：随着算力升级、功率增长，电感用量大幅增加，数量提升面临与PCB板可用面积之间矛盾、供电效率下降问题等，因此AI芯片电感有三大升级方向：单相电感走向多相电感、横向供电转向VPD垂直供电、分立式电感转向TLVR电感。
多相TLVR电感是大势所趋。TLVR把各相独立电感换成带副边耦合绕组的1:1变压电感，并用补偿电感把各相耦合起来。负载阶跃发生时，耦合回路让所有相更快地共同响应；稳态时，各相仍可保持所需纹波，因此TLVR电感有效提升了应对高功耗GPU供电的能力，支持快速响应负载变化，同时电流的快速提升至1000A以上，多相TLVR电感将成为必须。
量、价、结构三重驱动，AI芯片电感市场急速扩容，增速超10倍。未来芯片电感面临多重驱动，随着AI芯片出货增加、芯片功率上升、电感性能升级，AI芯片电感市场规模将快速扩容，规模增速=芯片出货倍数×功率提升倍数×单颗价值提升倍数。预计市场规模将从2025年的24亿提升至2028年的超300亿。
材料性能决定器件性能，材料器件一体化企业更具优势。拥有上游原材料布局的一体化企业，不仅可以保障原材料的供应稳定，同时可以满足下游需求的快速迭代，更受客户青睐，从而获得更高产业链壁垒、更深客户链绑定及更大成长空间。
宏观政策风险，行业发展受经济形势及政策影响较大，若形势变化及政策调整或导致行业发展低于预期，相关材料需求也将低于预期；
AI快速发展，技术迭代快，带来投资机会的同时，也存在被新材料新技术所替代的风险；
行业发展不及预期的风险，AI发展带来被动元件及相关材料行业投资机会，但相关硬件出货较慢，或导致相关企业业绩不及预期；
原材料风险，新材料生产原材料价格波动或导致相关公司生产经营波动，一定程度上可能带来不利影响，此外部分原材料如钽等对外依存度较高，若供应链中断或原材料受限，或影响相关企业生产。
（文章来源：界面新闻）
