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在今日举行的恒坤新材2026年上半年业绩会上，该公司在介绍前驱体材料TEOS产能利用率时表示，公司TEOS目前产能利用率为50%以上。其曾在半年报中新增提出“旋涂介电材料”作为第三大产品矩阵。最新进展方面，其表示，“旋涂介电材料系DRAM、14nm及以下先进逻辑芯片、高堆叠3D NAND存储芯片制造所需核心材料，目前处于研发、产业化准备阶段。”
（文章来源：财联社）
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