【导读】长鑫科技拟使用180亿元超募资金投建新项目

　　中国基金报记者卢鸰

　　长鑫科技9月28日晚发布公告称，公司当日召开第二届董事会第六次会议，审议通过了《关于使用部分超募资金投资建设新项目的议案》，公司拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目，同时，公司拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司（以下简称长鑫产品合肥）提供超募资金50亿元，由长鑫产品合肥投资新建“长鑫存储产品（合肥）有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目”。

　　此前，长鑫科技IPO募集资金总额为666.07亿元，扣除发行费用（不含增值税，含印花税）后的募集资金净额为663.1亿元。

　　长鑫科技表示，构筑并维持核心竞争力与长远发展的根本，在于坚定不移地推进产品与制程工艺的迭代升级。面对如此复杂的产业格局和技术路径，公司必须依托持续的研发投入，驱动工艺技术的代际演进，确保新产品在存储密度、功耗控制及读写性能上不断实现质的飞跃。这不仅是满足市场需求的关键，更是构筑企业深厚“护城河”、提升抗风险能力的必由之路。

　　因此，公司拟通过实施超募项目，开展技术研发工作，在保持公司技术领先性的同时，也有利于公司更快推出满足市场需求、性能更好、竞争力更强的产品，以增强公司的核心竞争力及抗风险能力。

　　完善IDM模式测试是DRAM生产中不可或缺的环节，但因其测试的专用设备特性，随着公司产能不断提升、产品种类增多，公司可能面临外部封测厂测试产能不足和新增投资配套不足的问题。为避免测试产能成为产能瓶颈，同时保障供应链安全，长鑫科技急需增加自建测试产能的投入。同时，通过自建存储器晶圆后道测试和模组项目，能够更灵活协调测试产能利用，降低公司DRAM芯片测试成本，提升公司运营效率和测试技术水平，有利于公司进一步完善IDM模式、增强公司的整体竞争力。

（文章来源：中国基金报）