周三AI硬件科技大爆发，高带宽内存(HBM)大涨，德邦科技涨超10%，有研新材涨停，中科飞测、精智达、中微公司等跟涨，长鑫科技涨近2%。

　　据财联社，三星的存储业务部门已将2031年前约70%的产能分配给长约订单（long-term agreements，简称LTAs），主要签约客户包括英伟达、微软及谷歌等大型科技公司。

　　但就连这些大型科技公司都无法取得合约约定的全部供货量，HBM抢货情况相当激烈，推动现货价格进一步飙升。

　　据内存市场研究公司MegaGrid Supply的数据，一块36GB的HBM3E产品，现货售价为2100美元，约合287万韩元，这相当于长协价（50万至70万韩元）的四到五倍。目前正准备量产的16层HBM4产品，如果通过现货市场而非长期合同购买，其交易价格高达3500美元，约合480万韩元。

　　供应压力正从 HBM 蔓延至一般 DRAM，随着向英伟达等大型科技客户供应的 HBM4

　　持续增加，HBM 生产吸收大量 DRAM 产能，进一步推升 DRAM 价格，且 HBM4 仍处于量产初期，生产良率低于上一代 HBM3E，制造过程需要耗用更多 DRAM，也使整体 DRAM 供应短缺进一步恶化。

　　在AI基础设施投资中，存储芯片所占比重正快速攀升。半导体研究机构集邦科技（TrendForce）预计，2027年这一比重将达68%，两年内增长近5倍。

　　国金证券表示，目前长鑫存储已成长为全球第四大DRAM生产商，同时已开始小批量生产HBM3E，计划2027年扩大规模，有望显著缓解国产AI处理器在HBM上的关键制约，补齐国产AI芯片供应链短板。随着国产芯片进入好用阶段，国产存储及算力产业链价值量有望进一步抬升，带动上游设备与材料环节需求放量。

（文章来源：东方财富研究中心）