8月全球DRAM、NAND均价再创新高，涨价幅度环比收窄
截至9月2日10时58分，市场震荡调整，同指数费率最低标的科创芯片ETF（588290）跟踪指数下跌2.29%。支持T+0、聚焦港股硬科技的港股通信息技术ETF（513240）跟踪指数下跌1.96%。成分股中，安克创新上涨6.18%，建滔积层板上涨1.87%，艾为电子上涨0.22%。
消息面上，受AI基础设施需求扩张推动，今年8月全球DRAM与NAND闪存均价再创历史新高，但涨幅较7月有所收窄。集邦咨询数据显示，8月标准PC DRAM均价25美元，环比上涨4.2%，较2016年统计起始时的2.90美元已涨超七倍；标准NAND均价30.50美元，环比仅涨1.4%，实现连续20个月上涨。
集邦咨询将第三季度PC DRAM合约价涨幅预期上调至18-23%，但较第二季度的45-50%已明显回落。SLC价格涨幅也从7月的34-51%收窄至16-28%，机构预计后续MLC涨价态势将进一步降温，整体存储芯片涨价节奏正在放缓。
相关研究机构表示，算力产业链中高景气细分赛道如PCB、存储等需求旺盛，均处于景气扩张周期，亦有望提振上游设备、先进封装等需求，建议关注PCB、存储、半导体设备及材料、先进封装等产业链投资机遇。
（文章来源：每日经济新闻）
