SK海力士考虑英特尔代工HBM4E基底芯片
8月31日，据报道，SK海力士正研究与英特尔合作生产下一代高带宽内存（HBM）关键组件基底芯片，最早可能从第七代HBM产品HBM4E开始引入英特尔，与台积电形成多供应商体系。SK海力士此前在HBM3E之前均自行生产基底芯片，但随着基底芯片的逻辑功能和性能要求提高，自HBM4起转由台积电代工，目前量产中的HBM4基底芯片采用台积电12纳米级工艺。
业内人士称，台积电供应的HBM4基底芯片成本约为SK海力士自身10纳米级第五代1b工艺生产的核心芯片的3至4倍。随着HBM4E升级，成本压力预计进一步增加，而HBM产品大量采用长期供应协议，厂商难以迅速将代工成本转嫁给客户。若英特尔加入供应链，SK海力士有望降低成本并提升供应稳定性，同时减少对单一代工厂的依赖。此外，双方合作未来也可能延伸至先进封装领域，SK海力士目前正评估台积电CoWoS-S、CoWoS-L及英特尔EMIB等方案。
对此，SK海力士回应表示，其目前难以确认技术路线图的具体内容，“关于将HBM4E基础裸片（BaseDie）的生产委托给英特尔一事，并未进行相关探讨。”
（文章来源：界面新闻）
