摩根士丹利预计三季度成熟制程DRAM涨价50%!科创芯片设计ETF天弘(589070)标的指数盘中涨超1%,已连续3日净流入超5000万元
2026年08月20日 13:15
来源: 每日经济新闻
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  盘面上,两市窄幅震荡,芯片设计概念上涨。科创芯片设计ETF天弘(589070)标的指数盘中涨1.14%。成分股中,思瑞浦康希通信纳芯微南芯科技涨超5%,恒玄科技希荻微思特威-W等多股跟涨。

  值得关注的是,Wind显示,科创芯片设计ETF天弘(589070)近3个交易日(2026年08月17日—2026年08月19日)实现连续"吸金",累计获资金净流入5231.76万元。最近30个交易日累计获资金净流入1.17亿元。截至2026年08月19日,该基金最新规模为19.44亿元,为同标的第一。

  科创芯片设计ETF天弘(589070)具备20%涨跌幅的弹性,跟踪指数成分股囊括50家科创板芯片龙头企业,芯片设计行业占比高达96.1%,“含芯量”满满,瞄准半导体高景气度细分赛道,成长空间可期。该ETF还配备了2只场外联接基金(A类:027574;C类:027575)。

  消息面上,据财联社,摩根士丹利最新预测显示,成熟DRAM和NAND芯片供应紧张局面将进一步恶化。该机构预计,2026年第三季度DDR4等成熟DRAM价格将上涨50%,第四季度再涨10%。同时,SLC NAND闪存价格涨幅更为激进,今年剩余两个季度每季度均将上涨50%。

  天风证券认为,先进封装技术实现关键突破,台积电5.5倍光罩CoWoS已量产且良率稳定,异构集成与高带宽内存正加速商业应用;同时,政策推动“设计+制造”融合与自主芯片深度耦合大模型,具备全产业链整合能力的企业将迎来黄金发展期。

(文章来源:每日经济新闻)

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原标题:摩根士丹利预计三季度成熟制程DRAM涨价50%!科创芯片设计ETF天弘(589070)标的指数盘中涨超1%,已连续3日净流入超5000万元
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