DRAM供不应求趋势延续！芯片ETF东财早盘涨超4%
截至8月5日09:45，芯片ETF东财（159599）盘中上涨4.11%，最新报价破2.7，成交8443万元，交投活跃。跟踪指数成分股中，盛科通信、长川科技、寒武纪、华虹宏力等多只个股拉升跟涨。
消息面上，据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，由于DRAM供不应求格局将延续至2027年，自2026年第三季起，英伟达对Rubin Ultra的HBM配置已从HBM4e 12hi，改为并行评估HBM4e 8hi、HBM4 12hi、HBM4 8hi等设计，目前尚未定案。除英伟达外，部分云端服务供应商（CSP）也正考虑调降下一代自研ASIC的HBM容量设计。
存储芯片中，DRAM主要用于服务器、PC及移动设备的运算数据缓存，NAND闪存则用于数据存储。当前AI算力建设持续拉动HBM（高带宽内存）及服务器DRAM需求增长，海外存储大厂产能向AI高端存储倾斜，导致消费级产品供需错配加剧。据WSTS预计，2026年全球半导体市场增长90%，达到1.5万亿美元，主要由存储芯片驱动。
数据来源：东方财富Choice数据
