机构：预测2030年全球DRAM缺口达28.7EB 存储芯片市场或迈入长期供需紧张周期
市场研究机构Citrini Research最新预测，到2030年，全球DRAM市场仍将出现大规模供应缺口，规模预计达28.7EB，约占当年总需求的18%，对比今年全球总产能约40EB。根据Citrini的研究员Zephyr分享的数据，2030年全球DRAM(含HBM)需求预计达157.5EB，供应能力仅约128.8EB；其中普通DRAM将是最大瓶颈，预估供应约每年91EB，需求却高达120EB，缺口比例将从目前的18%扩大至25%左右。报告强调，即便三星、SK海力士、美光及中国厂商持续扩产，新增产能仍可能被飞涨的AI需求快速吸收。造成供需失衡的核心在于AI基础设施爆发，因大模型训练推理、HBM成为AI加速器核心，连带推升传统服务器DRAM需求。在紧平衡下，DRAM平均售价(ASP)可能长期维持高位，预计落在每Gb1.5-2美元，伺服器、PC及消费电子存储芯片成本将持续承压。
（文章来源：科创板日报）
