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美国银行最新分析显示，SK海力士至2028年实际可新增的存储芯片产能，可能仅为原计划的六分之一，这一判断不仅令韩国政府的产能扩张蓝图大打折扣，更为正在进行中的DRAM价格操纵集体诉讼提供了关键佐证。受旧厂关闭、技术升级及制程微缩等因素影响，韩国每年实际可增加的运营存储晶圆产能不足10%，这意味着到2030年的产能增量将远低于韩国总统李在明此前设定的"2030年产能翻倍"目标。这一判断直接冲击DRAM市场的供给预期。
（文章来源：财联社）
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