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7月8日消息，英特尔一项近日公开的专利申请显示，公司正研发名为XBM（Cross-Batch Memory）的新型高带宽内存架构，旨在通过取消HBM所需的硅中介层、采用UCIe互连及内置冗余修复机制，降低先进封装成本并缓解AI芯片“内存墙”瓶颈。
专利显示，XBM采用后端晶体管（BEOL）DRAM堆叠设计，可在保持与HBM4相近封装尺寸的同时提升可扩展性，并支持缺陷修复以提高良率。
（文章来源：界面新闻）
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