三星电子近期的高带宽存储器（HBM）用DRAM良率已大幅提升

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三星电子近期的高带宽存储器（HBM）用DRAM良率已大幅提升

2026年05月18日 12:40

来源：科创板日报

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　　消息传出，三星电子近期的高带宽存储器（HBM）用DRAM良率已大幅提升，1b DRAM良率达92%、1c DRAM破75%。 (台湾电子时报)

（文章来源：科创板日报）

文章来源：科创板日报责任编辑：70

原标题：消息传出，三星电子近期的高带宽存储器（HBM）用DRAM良率已大幅提升，1b DRAM良率达92%、1c DRAM破75%。

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