科创半导体ETF华夏(588170)冲击3连涨,DDR5季度涨幅一度高达200%
2026年04月28日 13:33
来源: 界面新闻
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  截至2026年4月28日 13:23,上证科创板半导体材料设备主题指数(950125)上涨0.47%,成分股欧莱新材上涨15.37%,中巨芯上涨11.42%,金宏气体上涨6.16%,中微公司上涨4.54%,中船特气上涨4.43%。科创半导体ETF华夏(588170)上涨0.31%, 冲击3连涨。最新价报1.91元。

  消息面上,美银美林最新周报揭示,一季度财报季后,存储巨头扩产HBM的热情明显降温,资本支出正加速回流传统DRAM与NAND——后者合同价已创25年新高,DDR5季度涨幅一度高达200%。

  中信建投研报称,OpenAI推出GPT-5.5,DeepSeek发布DeepSeek-V4预览版。GPT-5.5与DeepSeek-V4不约而同地强调了推理成本的极致压缩。这并非意味着算力需求见顶,相反,单次成本的下降可能将诱发Token消耗量的指数级增长,维持对北美算力产业链和国产AI算力突围者的长期看好。

  数据显示,截至2026年3月31日,上证科创板半导体材料设备主题指数(950125)前十大权重股分别为拓荆科技华海清科中微公司中科飞测安集科技沪硅产业芯源微华峰测控天岳先进富创精密,前十大权重股合计占比74.31%。

(文章来源:界面新闻)

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原标题:科创半导体ETF华夏(588170)冲击3连涨,DDR5季度涨幅一度高达200%
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