国博电子：公司与国内头部终端厂商共同研发的硅基氮化镓功放芯片
证券日报网4月16日讯 ，国博电子在接受调研者提问时表示，2025年，公司与国内头部终端厂商共同研发的硅基氮化镓功放芯片，针对手机等终端应用进行设计优化，填补了业内硅基氮化镓功放终端射频应用的空白。随着卫星互联网、下一代移动通信（6G/U6G）通感一体等技术的不断发展，未来移动通信要实现空天地海一体化，构建万物互联场景，对于射频芯片的功率、效率、带宽、集成度等性能提出更高要求，传统GaAs功率放大器已经面临在高频下功率密度接近极限的困境，GaN材料的性能优势凸显，在终端推广应用GaN射频芯片也成为大势所趋。公司基于低压硅基氮化镓的核心设计技术，布局终端射频功放芯片、终端直连卫星芯片，部分新产品已经完成开发或进入送样阶段，充分发挥了新型三代半导体材料的技术优势，未来有望为公司带来第二增长曲线。
（文章来源：证券日报）
