据ETNews报道，闪迪已开始与材料、组件和设备合作伙伴接洽，以构建HBF原型生产线的生态系统。

　　该公司计划于今年下半年推出原型产品，日本已成为其生产基地的热门候选地。业内人士透露：“闪迪正在与企业探讨合作，目标是在下半年引入HBF关键设备。”其估计，试点生产线将于下半年建成，并在年底前后投入运营，目标是在2027年实现商业化。

　　另据The Bell援引消息人士指出，随着样品生产的正式启动，闪迪似乎将提前约六个月完成此前公布的HBF开发路线图。根据闪迪去年公布的HBF开发路线图，该公司原计划于今年下半年开始供应HBF样品，并推动基于HBF的AI设备样品在2027年面世。

　　HBF是高带宽闪存，其结构与堆叠DRAM芯片的HBM类似，是一种通过堆叠NAND闪存而制成的产品。“HBM之父”韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩认为，HBM与HBF就好比书房与图书馆。前者容量虽小，但使用起来方便；后者容量更大，但也意味着延迟更高。

　　2025年2月，闪迪首次提出HBF概念，并将其定位为结合3D NAND容量和HBM带宽的创新产品。而在近期，闪迪与SK海力士联合举办“HBF规格标准化联盟启动会”，正式发布面向AI推理时代的HBF全球标准化战略。

　　东方证券判断，通过积极推动HBF标准化，SK海力士等头部存储厂商有望打造面向AI时代的领先储存架构。HBF采用NAND Flash闪存进行堆栈，若未来HBF得到广泛应用，有望为NAND市场增长进一步打开空间。

　　业内人士分析称，闪迪加速开发HBF与其作为NAND闪存制造商的身份密切相关，由于该公司目前产品组合中没有基于DRAM的HBM，因此正全力以赴开拓这一新兴市场。

　　值得一提的是，日前纳斯达克宣布，闪迪将于4月20日开盘前取代软件即服务（SaaS）巨头Atlassian Corp Plc加入纳斯达克100指数。过去一年，得益于AI热潮下的存储芯片超级周期，该股已涨逾2900%。

（文章来源：科创板日报）