科创芯片设计ETF鹏华涨近3%,美光计划研发堆叠式GDDR技术
2026年04月01日 10:31
来源: 东方财富证券
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  消息面上,美光科技正尝试首次研发采用堆叠式图形内存(GDDR)技术,公司正在准备必要的设备,并计划于2026年下半年开始工艺测试。公司早期设计预计将采用大约四层堆叠结构,原型产品最早可能在2027年问世。

  中国银河证券指出,模拟芯片行业结构性复苏趋势明确,国内模拟厂商有望实现业绩修复。在AI算力需求爆发的大背景下,芯片市场的竞争格局或将重构,国产AI芯片有望迈入规模放量阶段。

  截至2026年4月1日 10:23,上证科创板芯片设计主题指数(950162)强势上涨3.35%,成分股芯原股份上涨12.12%,寒武纪上涨7.53%,灿芯股份上涨7.32%,盛科通信,翱捷科技等个股跟涨。科创芯片设计ETF鹏华(589170)上涨2.93%,最新价报0.88元。

  科创芯片设计ETF鹏华紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数,上证科创板芯片设计主题指数选取科创板内业务涉及芯片设计领域的上市公司证券作为指数样本,以反映科创板芯片设计领域上市公司证券的整体表现。

  数据显示,截至2026年3月31日,上证科创板芯片设计主题指数(950162)前十大权重股分别为澜起科技、海光信息、芯原股份、佰维存储、寒武纪、睿创微纳、东芯股份、晶晨股份、龙芯中科、臻镭科技,前十大权重股合计占比58.85%。

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