三星计划在下一代高带宽存储器（HBM）的基础裸晶上导入2纳米制程

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三星计划在下一代高带宽存储器（HBM）的基础裸晶上导入2纳米制程

2026年03月13日 09:01

来源：财联社

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　　消息称三星电子计划在下一代高带宽存储器（HBM）的基础裸晶上导入2纳米制程，以同时提升技术竞争力。

（文章来源：财联社）

文章来源：财联社责任编辑：70

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