证券日报网3月6日讯 ，同惠电子在接受调研者提问时表示，公司目前研发和即将推出的新产品主要针对于功率半导体的研发设计、生产检测、可靠性验证的相关检测需求。具体型号如下：1、TH500系列第三代功率半导体器件高压脉冲电流电压（PIV）分析系统（已小批量生产），支持1500V/50A测试能力，可精准量化器件寄生效应，主要用于高压SiC/GaN宽禁带器件高速开关过程中核心参数的精准捕捉；2、TH510系列半导体器件C-V特性分析仪（已小批量生产），频率覆盖1kHz-2MHz，漏极电压最高可达±3000V，主要应用于功率器件研发设计、产线来料筛查和出厂质检等可靠性验证的流程；3、TH520系列功率器件参数分析仪（即将上市），最高支持3500V/1800A测试能力，测量分辨率达1fA/100μV，最小脉宽10μs，测试带宽10MHz。可覆盖功率MOSFET、IGBT、SiC/GaN等宽禁带器件的静态参数测试；4、TH530系列半导体器件雪崩能量测试仪（已小批量生产），支持最高2500V雪崩电压、200A峰值电流测试能力。可精准量化MOSFET、IGBT等器件的雪崩能量耐受能力、雪崩失效特性，应用于功率器件失效分析、产线良率筛选和器件的耐久性验证；5、TH540系列半导体器件热阻测试仪（正在研发），VDS达200V、IDS为50A，主要用于测量晶体管、二极管、MOSFET、IGBT等功率器件的热阻特性，同时可实现器件接触状态检查，保障器件散热性能评估准确性；6、TH550系列半导体晶圆KGD测试系统（正在研发），可实现静态与动态参数双维度测试，且能适配常温、高温等多环境场景，满足晶圆级KGD的测试需求；7、TH560系列半导体晶圆老化测试系统（即将上市），支持4寸、6寸、8寸晶圆，电压达2000V，主要用于评估半导体晶圆在长期工作环境下的稳定性，提前识别潜在失效风险，为下游芯片制造提供品质保障；8、TH570系列功率器件动态特性分析仪/双脉冲测试仪（即将上市），具备1500V、250A的能力，脉宽100μs，带宽500MHz，主要重点针对分立IGBT、SiC/GaN等宽禁带半导体器件，提供高精度动态功率测试支持。TH500系列PIV系统、TH510系列半导体器件C-V特性分析仪、TH530系列半导体器件雪崩能量测试仪已通过客户验证并形成少量订单；TH520系列功率器件参数分析仪、TH560系列半导体晶圆老化测试系统和TH570系列功率器件动态特性分析仪尚处于客户验证阶段，尚未形成订单。后续的市场导入及销售情况，取决于研发进度、市场拓展及行业需求等多重因素的影响，敬请投资者注意相关风险。

（文章来源：证券日报）