财联社3月5日讯今日早盘韩国股市上演强劲V型反转。韩国综合股价指数KOSPI高开3.1%后持续拉升，盘中涨幅一度扩大至12%，其中三星电子和SK海力士均涨超11%。

　　受韩股情绪修复带动，港股市场存储产业链标的同步走强。截至发稿，兆易创新(03986.HK)涨5.88%、澜起科技(06809.HK)涨4.72%。

　　尤为引人注目的是，在港股上市的杠杆型ETF产品表现突出——南方东英两倍做多SK海力士(07709.HK)与南方东英两倍做多三星电子(07747.HK)涨幅均超过15%。

　　恐慌情绪退潮优质科技资产成资金避风港

　　市场分析指出，此轮快速修复行情反映出：当短期恐慌情绪缓解后，此前因非理性抛售被显著低估的优质科技资产迅速成为资金回流核心标的。作为全球半导体产业链关键环节，存储芯片龙头企业的估值修复具有显著风向标意义，印证行业基本面拐点正在形成。

　　涨价实锤：DRAM价格谈判落地，季度涨幅实现翻倍

　　据3月4日行业媒体报道，三星电子已于2月与主要客户完成2026年一季度DRAM供货价格最终谈判。服务器、PC及移动端通用DRAM产品均价较2025年四季度上涨约100%，部分客户及特定品类涨幅甚至突破100%。业内知情人士透露，谈判已全面收尾，部分海外客户已完成付款流程。

　　值得注意的是，相较于今年1月初步协商的70%涨幅，最终定价在一个月内再度提升约30个百分点。同时，行业供货谈判周期已从传统年度合同大幅压缩至季度，部分品类甚至需按月动态调整。这一机制变革深刻反映出当前存储芯片市场供需矛盾的严峻性与紧迫性。

　　本轮涨价并非单一厂商行为。报道援引产业链人士称，SK海力士与美光科技已同步以相近幅度完成一季度供货合同谈判，全球三大DRAM原厂协同提价格局已然成型。市场普遍预期，2026年二季度DRAM与NAND Flash价格仍将延续上行趋势，尽管环比涨幅或有所收窄，但价格中枢系统性抬升的方向已不可逆转。

　　除了海外涨价之外，近期多家功率半导体厂商发布涨价函，无锡新洁能股份有限公司宣布将对MOSFET产品涨价10%起，并于3月1日起生效。行业迎来新一轮全面涨价潮，市场关注度提升。

　　澜起科技和兆易创新均出现上涨

　　澜起科技是DDR5 RCD、MDB及CKD芯片国际标准牵头制定者，稳居全球内存接口芯片三大供应商之列。弗若斯特沙利文报告显示，按2024年销售额计，公司为全球最大的内存互连芯片供应商、第二大PCIe Retimer供应商。

　　兆易创新是中国领先的半导体设计公司，主营业务涵盖存储器、微控制器和传感器。在存储领域中，公司是国内Nor Flash的龙头企业，同时也在积极布局DRAM和NAND Flash市场。

　　国金证券认为，半导体设备是半导体产业链的基石，存储扩产与自主可控共振，国产化空间广阔。存储芯片架构从2D向3D深层次变革，随着3D DRAM技术引入以及NAND堆叠层数向5xx层及以上演进，制造工艺中对高深宽比刻蚀及先进薄膜沉积的要求呈指数级提升，相关设备厂商将深度受益于工艺复杂度提升带来的红利。

（文章来源：财联社）