SK海力士发表HBF与HBM混合架构,高“设备”含量的科创半导体ETF(588170)近5天合计“吸金”1.21亿元
2026年02月12日 11:29
来源: 每日经济新闻
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  截至2月12日11:06,上证科创板半导体材料设备主题指数下跌0.34%。成分股方面涨跌互现,欧莱新材领涨18.32%,晶升股份上涨2.72%,上海合晶上涨1.6%;耐科装备领跌3.38%,兴福电子下跌2.82%,中微公司下跌1.99%。科创半导体ETF(588170)下跌0.45%,最新报价1.75元。

  截至2月12日11:08,中证半导体材料设备主题指数下跌0.12%。成分股方面涨跌互现,江丰电子领涨8.56%,广立微上涨5.79%,晶升股份上涨3.03%;拓荆科技领跌1.96%,京仪装备下跌1.87%,华峰测控下跌1.84%。半导体设备ETF华夏(562590)下跌0.16%,最新报价1.9元。

  流动性方面,科创半导体ETF盘中换手4.25%,成交3.45亿元;半导体设备ETF华夏盘中换手2.25%,成交6131.29万元。

  规模方面,科创半导体ETF近1周规模增长2.05亿元,实现显著增长,新增规模领先同类;半导体设备ETF华夏最新规模达27.06亿元。

  资金流入方面,科创半导体ETF最新资金净流入1058.84万元。拉长时间看,近5个交易日内有3日资金净流入,合计“吸金”1.21亿元,日均净流入达2412.91万元;半导体设备ETF华夏最新资金净流出2666.79万元。拉长时间看,近23个交易日内有16日资金净流入,合计“吸金”12.46亿元,日均净流入达5418.13万元。

  消息面上,SK海力士近日通过发表在IEEE(电气与电子工程师协会)全球半导体大会上的论文,提出了一种新型半导体结构。该结构采用了HBM和HBF两种技术,公司将8个HBM3E和8个HBF置于英伟达Blackwell旁进行实验,结果表明,与单独使用HBM相比,这种配置可以将每瓦计算性能提升高达2.69倍。

  兴业证券指出,当前先进封装产业的核心瓶颈在于大尺寸硅中介层与TSV等精密工艺的制造难度大、良率爬坡周期长,同时高端封装设备与材料的国产化率仍然较低,这使得产能与技术迭代速度成为制约国产高端算力芯片落地放量的关键因素。在AI算力需求爆发与供应链自主可控的双重驱动下,产业具备明确且持续的成长空间。

  相关ETF:公开信息显示, 科创半导体ETF(588170)及其联接基金(A类:024417;C类:024418)跟踪上证科创板半导体材料设备主题指数,囊括科创板中半导体设备(60%)和半导体材料(25%)细分领域的硬科技公司。 半导体设备和材料行业是重要的国产替代领域,具备国产化率较低、国产替代天花板较高属性,受益于人工智能革命下的半导体需求,扩张、科技重组并购浪潮、光刻机技术进展。

  半导体设备ETF华夏(562590)及其联接基金(A类:020356;C类:020357),指数中半导体设备(63%)、半导体材料(24%)占比靠前,充分聚焦半导体上游。

(文章来源:每日经济新闻)

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原标题:SK海力士发表HBF与HBM混合架构,高“设备”含量的科创半导体ETF(588170)近5天合计“吸金”1.21亿元
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