1月21日，A股市场震荡回调，受海外存储芯片股提振，科创芯片板块早盘强劲冲高！截至9:46，科创芯片50ETF（588750）直线拉升，暴涨近4%，盘中价创上市以来新高！

　　消息面上， 1月20日，美股存储芯片股逆市走强，闪迪涨8%， 美光科技涨5%，均刷新历史新高。

　　2025年以来，存储芯片迎来涨价超级周期。2025年12月DRAM与NAND Flash现货价格继续环比上涨，DRAM指数环比上涨约15%，NAND指数环比上涨约16%；根据TrendForce的最新预测，预计26Q1整体一般型DRAM合约价将环比增长55-60%，预计整体NAND Flash合约价将环比上涨33-38%。

　　存储芯片厂商近期动作频频。近日，美光科技在纽约州奥农达加县总投资1000亿美元的巨型晶圆厂正式破土动工，该晶圆厂预计2030年开始生产，并在十年内逐步扩大产能。除了投建上述晶圆厂，为应对供应短缺，美光科技还通过收购方式积极扩产。该公司近日宣布，将以总价18亿美元向力积电收购其一处晶圆厂厂房及厂务设施，用于扩充存储芯片产能。

　　美光预计，此次交易将在2027年下半年带来显著的DRAM晶圆产出。

　　涨价潮催化下，存储厂商业绩表现亮眼！澜起科技预计2025年度实现归属于母公司所有者的净利润21.50亿元至23.50亿元，同比增长52.29%至66.46%。存储研发封测一体化企业佰维存储2025年业绩预盈公告显示，预计2025年实现归属于母公司所有者的净利润8.50亿元至10.00亿元，同比增长427.19%至520.22%。

　　浙商证券指出，AI训练与推理对显存带宽及容量的迫切需求，正驱动存储行业进入新一轮成长周期，存储产品呈现量价齐升态势。随着AI应用愈加广泛，特别是在深度学习、图像识别、自然语言处理等数据密集型领域渗透，存储的需求呈现明显增长端侧方面，生成式AI在端侧的集成，正在引领智能手机行业变革，AI手机将有力推动单机存储容量再次升级。考虑到建设厂房、新增产线、购置设备、材料等需要一定周期，因此原厂在短期内快速扩充产能难度较大，供给侧紧张趋势也将持续。

　　（来源于浙商证券20250120《存储行业深度报告：AI纪元，存赢未来》）

　　中信建投研报称，地缘政治摩擦为国产半导体提供了替代窗口期，寒武纪、海光等新一代算力芯片/机柜性能快速提升，生态逐步完善。中信建投认为，受AI需求爆发、供给侧收缩等多重因素影响，存储芯片正处于价格上升期，推动全球存储产业链企业迎来业绩爆发。存储产线建设及国产化率提升有望进入加速阶段，看好配套半导体设备、封测等国内存储链投资机遇。随着国产替代逻辑加强、存储产能扩张，新一轮资本开支周期下国产设备/零部件/材料将深度受益！（来源于中信建投20260121《半导体设备产业链投资机遇》）

　　看好芯片核心科技，可关注科创芯片50ETF（588750），跟踪复制科创芯片指数，涨跌幅弹性高达20%，覆盖芯片产业链核心环节，高纯度、高锐度、高弹性！低门槛布局科创芯片核心环节，高效把握“新质生产力”大行情，抢反弹快人一步！