新年伊始，存储芯片价格开始出现大幅上涨。

　　当地时间1月5日，据韩国媒体《韩国经济日报》报道，知情人士称，三星电子与SK海力士计划在2026年第一季度将服务器DRAM（动态随机存取存储器）价格较2025年第四季度提升60%-70%。报道称，两家公司同时向个人电脑与智能手机DRAM客户提出了相近幅度的涨价方案。

　　上述报道称，两家公司此次提价策略基于对市场需求持续走强的预判。据悉，三星与SK海力士坚持采用季度合约而非长期协议，以灵活适应价格变动。

　　据知情人士透露，三星电子和SK海力士已经把对微软、AWS和谷歌等云服务器厂商的报价调高，通常这些客户在上一季度末或本季度初期签订季度合约。韩国媒体表示，在存储芯片需求旺盛的背景下，今年三星和SK海力士的营业利润有望增长1.5倍至2倍，超过1000亿美元。

　　韩国媒体指出，目前存储芯片厂商都在集中精力生产第三代高带宽内存（HBM3E），这种用于GPU和AI加速器的超高速内存适用于AI推理和训练，导致服务器DRAM产能承压，但此外谷歌微软等公司也在开拓基于推理的AI服务业务，一定程度上也催生了服务器DRAM需求。

　　行业预计，在AI算力需求爆发及数据中心投资扩大的推动下，DRAM价格有望在2027年前保持逐季度阶梯式上涨的态势。

　　不仅仅是服务器DRAM，用于手机和电脑的DRAM也被曝涨价在即。韩国媒体报道称，苹果高层已经赶赴韩国，与三星和SK海力士直接谈判，希望能争取到未来两三年DRAM的供应，这关系到整个苹果产品线的稳定度和成本结构。台湾媒体也指出，苹果目前采购的12GB LPDDR5X DRAM单颗成本已高达70美元，较2025年年初相比，涨幅达到230%。

　　对于涨价传闻，海力士回应表示，公司不予置评；三星半导体则没有回应澎湃新闻。

　　根据Omdia的数据，基于销售额测算，2024年三星电子在全球DRAM市场的占有率为40.35%，排名第一；SK海力士、美光科技2024年在全球DRAM市场的占有率分别为33.19%、20.73%，排名第二、第三。

　　与此同时，第三方调研机构TrendForce最新调查也对今年一季度存储芯片价格做出了预判，传统DRAM合约价格环比上涨约55%至60%，NAND闪存产品类别的合约价格上涨33%至38%。

　　DRAM即为通常理解的“内存”，常用于手机、电脑、服务器中，速度快、延迟低；NAND则常见用手机存储、SSD固态硬盘等，断电后也可以保存，但写入速度和延迟不如DRAM。

　　TrendForce解释称，由于DRAM供应商将继续把先进的制程节点和新增产能重新分配给服务器和HBM产品，以满足不断增长的AI服务器需求。这一转变显著限制了其他市场的供应，导致传统DRAM合约价格环比上涨约55%至60%。与此同时，NAND闪存供应商严格的产能管理，以及强劲的服务器需求挤占了其他应用的需求，可能会使所有NAND闪存产品类别的合约价格上涨33%至38%。

　　TrendForce还预计，2026年第一季度服务器DRAM的价格将环比上涨超过60%。TrendForce表示，由于AI推理驱动的基础设施发展持续推动着美国通信服务提供商 (CSP) 的采购。自2025年底以来，这些公司一直在拉拢订单，从而增加了对服务器DRAM的需求。随着供应商库存接近枯竭，出货量增长完全依赖于晶圆产量的增加，供应紧张的局面持续加剧。

　　TrendForce也提到DRAM涨价对智能手机的影响。该报告称，尽管智能手机品牌在淡季期间通常面临较低的内存需求，但移动DRAM供应紧张的局面短期内不太可能缓解，合约价格在未来几个季度可能进一步上涨。因此，各品牌在2026年第一季度仍将继续大力采购。预计LPDDR4X和LPDDR5X市场都将持续供不应求，资源分布不均，这将支撑价格上涨。

（文章来源：澎湃新闻）