消息称铠侠2026年开始生产332层NAND Flash
为抢攻AI数据中心需求,铠侠2026年将在岩手北上工厂开始生产第10代NAND Flash,其堆叠数从现行第8代的218层增加至332层,每单位面积的存储容量提升59%、数据传输速度改善33%,能耗也会有所降低。
(文章来源:科创板日报)
为抢攻AI数据中心需求,铠侠2026年将在岩手北上工厂开始生产第10代NAND Flash,其堆叠数从现行第8代的218层增加至332层,每单位面积的存储容量提升59%、数据传输速度改善33%,能耗也会有所降低。
(文章来源:科创板日报)