SK海力士开始量产321层QLC NAND闪存 计划明年进入AI数据中心市场
2025年08月25日 07:42
来源: 界面新闻
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  8月25日,SK海力士宣布,已开发出321层2Tb(太比特,Terabit) QLC1 NAND闪存产品,并开始量产。该产品计划于明年上半年正式进入AI数据中心市场。该公司计划首先在电脑端固态硬盘(PC SSD)上应用321层NAND闪存,随后逐步扩展到面向数据中心的企业级固态硬盘(eSSD)和面向智能手机的嵌入式存储(UFS)产品。此外,公司也将基于堆叠32个NAND晶片的封装技术,实现比现有高出一倍的集成度,正式进入面向AI服务器的超高容量eSSD市场。

(文章来源:界面新闻)

文章来源:界面新闻 责任编辑:70
原标题:SK海力士开始量产321层QLC NAND闪存,计划明年进入AI数据中心市场
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