消息称英伟达计划自研HBM Base Die
英伟达已启动自家HBM Base Die(逻辑层 / 底层芯片)设计计划,未来无论选择任一品牌HBM堆叠产品,Base Die都将采用英伟达自有设计方案,制程节点3nm,预估将于2027年下半年开始小量试产。
(文章来源:科创板日报)
英伟达已启动自家HBM Base Die(逻辑层 / 底层芯片)设计计划,未来无论选择任一品牌HBM堆叠产品,Base Die都将采用英伟达自有设计方案,制程节点3nm,预估将于2027年下半年开始小量试产。
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