机构:预计第四季度长鑫存储在DRAM市场份额将升至8%
2025年06月23日 20:55
作者: 王一鸣
来源: 证券时报网
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  近日,来自市场分析机构Counterpoint预测显示,长鑫存储科技有限公司(CXMT、简称“长鑫存储”)今年DRAM出货量将同比增长50%,其在整体DRAM市场的出货份额预计将从第一季度的6%增至第四季度的8%。

  报告显示,长鑫存储不仅在其主要传统产品DDR4和LPDDR4上提升产量,在DDR5和LPDDR5产品上也实现显著增长。Counterpoint预测,长鑫存储在DDR5市场的份额将从第一季度不到1%上升至年底的7%,在LPDDR5市场的份额将从0.5%激增至9%。

  据官网,长鑫存储是一家一体化存储器制造公司,专注于动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售。创立于2016年,长鑫存储总部位于安徽合肥,在国内外拥有多个研发中心和分支机构。长鑫存储的技术团队拥有丰富的技术研发经验和创新能力,已推出多款DRAM商用产品,广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实物联网等领域。

  去年11月,福布斯发布“2024福布斯中国创新力企业50强”榜单,在半导体领域,长鑫存储、海光信息华为海思中微公司等6家企业入选,2022年和2023年这一数字分别为8家和12家。

  目前,DRAM市场主要由三星电子和SK海力士等韩国半导体制造商主导。根据TrendForce集邦咨询数据披露,2025年第一季度,SK海力士以36%的DRAM营收份额位居榜首,三星(33.7%)与美光(24.3%)紧随其后,三家合计占据全球DRAM市场逾九成的份额。

  从行业业绩情况来看,根据TrendForce集邦咨询调查,2025年第一季由于一般型DRAM(Conventional DRAM)合约价下跌,加上HBM出货规模收敛,DRAM产业营收为270.1亿美元,季减5.5%。在平均销售单价方面,由于Samsung(三星)更改HBM3e产品设计,HBM产能排挤效应减弱,促使下游业者去化库存,导致多数产品合约价延续2024年第四季以来的跌势。

  展望2025年第二季,该机构预测,随着PC OEM和智能手机业者陆续完成库存去化,并积极生产整机,将带动位元采购动能升温,原厂出货位元显著季增。价格方面,预期各主要应用的合约价皆将止跌回升,预估一般型DRAM合约价,以及一般型DRAM和HBM合并的整体合约价均将上涨。

(文章来源:证券时报网)

文章来源:证券时报网 责任编辑:10
原标题:机构:预计第四季度长鑫存储在DRAM市场份额将升至8%
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