本报记者殷高峰

　　2月27日，深圳市第三代半导体材料产业园正式揭牌。据悉，该产业园是由北京天科合达半导体股份有限公司（下称“天科合达”）、深圳市重大产业投资集团等各方共同投资建立，总投资32.7亿元，重点布局6英寸碳化硅单晶衬底和外延生产线，预计今年衬底和外延产能达25万片，将进一步补强深圳第三代半导体“虚拟全产业链（VIDM）”。

　　据介绍，上述第三代半导体材料产业园项目是战略支撑深圳打造全国第三代半导体技术创新高地的省、市级重大项目。项目投产后将有效解决下游客户在新能源汽车、轨道交通、分布式新能源、智能电网、高端电源、5G通讯、人工智能等重点领域的碳化硅器件产业链发展的原材料基础保障和供应瓶颈。

　　天科合达成立于2006年9月，控股股东为新疆天富集团，上市公司天富能源是天科合达第二大股东。天科合达是国内首家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发、生产和销售的国家级高新技术企业，在国内最早建立了完整的碳化硅晶片生产线。

　　依托中科院物理所在碳化硅领域十余年的研究成果，天科合达拥有雄厚的技术及研发实力。公司立足于自主研发，坚持产业创新，先后申请专利60余项，已获授权专利40余项；参与起草并正式发布国家标准4项，行业标准1项，团体标准8项，先后承担国家部委、北京市等数十项重点科技攻关项目。

　　通过对关键技术的突破，天科合达已形成具有自主知识产权的完整技术路线，在国内实现碳化硅晶体的产业化，打破了国外长期的技术封锁和垄断。公司向国内60余家科研机构批量供应晶片，推动了碳化硅外延、器件等相关的基础研究，带动20余家优质下游企业用户成功实现外延、器件和模块产业快速增长，为国内形成完整的碳化硅产业链做出了突出贡献，推动了我国宽禁带半导体产业的发展。

　　近年来，天科合达在碳化硅生产业务上增速明显。除了在北京、徐州、新疆、深圳等地建成的碳化硅衬底、碳化硅外延片、单晶原料等生产基地外，总投资8.3亿元的江苏天科合达碳化硅晶片二期扩产项目于2023年8月正式动工，总投资约20亿元的碳化硅衬底产业化基地建设二期项目也将于2024年上半年动工。

　　公开资料显示，为布局第三代半导体碳化硅新材料产业，天富能源2020年参与天科合达增资扩股，并在2021年持续加大投资力度，持有天科合达9.09%的股份。天富能源表示，天科合达将对其在新材料板块的布局产生积极影响，形成与新能源产业协同发展的格局。

（文章来源：证券日报）