全球半导体设备市场持续扩张，2025年销售额预计达1330亿美元，同比增长13.7%，创历史新高。SEMI指出，增长主要由人工智能相关投资驱动，涵盖先进逻辑、存储及先进封装技术。其中，晶圆厂设备（WFE）领域在2024年创下1040亿美元纪录后，预计2025年将增长11.0%至1157亿美元，主要得益于DRAM及HBM投资强于预期，中国地区的持续扩产亦为重要推动力。此外，后端设备复苏势头强劲，2025年测试设备销售额预计激增48.1%至112亿美元，封装设备销售额增长19.6%至64亿美元，驱动力来自器件架构复杂度提升与AI对高性能存储的严苛要求。

　　海外动态方面，三星电子的第四代高带宽内存（HBM4）在英伟达下一代人工智能加速器“VeraRubin”的测试中斩获最高分。此外，美国联邦贸易委员会（FTC）已批准英伟达对英特尔的投资，但未披露交易的具体细节。今年9月，英伟达宣布将向陷入困境的英特尔投资50亿美元，此举被视为对本土半导体产业的重要支持。

　　国内方面，国内存储制造商正加速推进扩产与技术升级，长江存储武汉第三座工厂预计2027年投产，规划月产能15万片晶圆，设备国产化率目标达50%；长鑫存储则已启动高端DRAM量产计划，其LPDDR5X产品已于2025年10月实现量产，采用16纳米工艺并支持最高10.7Gbps运行速度。随着国产存储厂商在中高端产品领域的突破以及产能扩张提速，北方华创、中微公司等国产半导体设备龙头企业有望持续获得新订单，驱动收入增长。招商证券指出，2026-2027年国内存储及先进制程扩产有望提速，国产设备厂商将迎来国产化率快速提升的关键阶段。

　　AI需求持续爆发推动存储芯片价格进入上行通道，华兴证券进一步上调2026年第一季度服务器DDR5和ESSD合约价涨幅预期，分别达到环比上涨40%和30%。其中，中高端96GB及以上DDR5RDIMM产品涨幅尤为突出，主要受益于谷歌、Meta等云服务厂商在ASIC产品中对DDR5的重度依赖，叠加2026年ASIC出货量攀升趋势明确。NAND方面，由于新增产能释放周期较长，2026年ESSD产能增长仍主要依赖SK海力士、三星电子和美光等头部厂商提升现有产线利用率，供给紧张格局有望延续。

　　受益于AI驱动下全球高带宽存储（HBM）市场需求迅猛增长，TECHCET预测HBM单位比特所需晶圆面积是传统DRAM的三倍以上，显著提升对半导体材料的消耗量。光大证券认为，具备光刻胶、湿电子化学品、电子特气等领域技术积累且深度对接下游晶圆厂的材料供应商将充分受益于国产化替代进程加速。

　　场内ETF方面，截至2025年12月22日10:16，中证半导体材料设备主题指数强势上涨4.11%，芯片设备ETF(560780)上涨4.06%。成分股珂玛科技20cm涨停，上海新阳上涨13.25%，联动科技上涨8.88%。前十大权重股合计占比64.75%，其中权重股长川科技上涨7.94%，拓荆科技上涨6.60%，中科飞测上涨6.18%，芯源微、北方华创等个股跟涨。

　　规模方面，截至2025年12月19日，芯片设备ETF近3月规模增长10.14亿元，实现显著增长。份额方面，芯片设备ETF近3月份额增长6.00亿份，实现显著增长。

　　芯片设备ETF(560780)：紧密跟踪中证半导体材料设备主题指数，根据申万三级行业分类，指数重仓半导设备超60%、半导体材料超20%，合计权重超80%。涵盖中微公司、北方华创、拓荆科技等设备龙头公司。场外联接(A：020639；C：020640)。

　　以上信息仅供参考，不构成投资建议