《科创板日报》12月4日讯（记者陈俊清）今日（12月4日），拓荆科技举行2025年第三季度业绩说明会。

　　在后摩尔时代半导体技术迭代加速、存储市场行情回暖的双重催化下，拓荆科技三季度业绩保持高速增长，且目前在手订单饱满。拓荆科技董事长吕光泉于会上就存储涨价对公司的影响及半导体设备技术演进趋势向《科创板日报》记者分享看法。

　　财报显示，拓荆科技今年第三季度实现营收22.66亿元，同比增长124.15%；归母净利润4.62亿元，同比增长225.07%。“公司营收高增长原因主要是公司面向先进制程领域推出的新产品、新工艺设备已进入规模化量产阶段，净利润高增长原因主要是公司营收规模持续扩大，期间费用率下降，规模效应显现。”吕光泉在业绩会上表示。

　　截至今年第三季度末，拓荆科技多款基于新型设备平台（PF-300TPlus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）的多款先进制程的验证机台顺利通过客户认证，进入规模化量产阶段。包括PECVD Stack（ONO叠层）、ACHM以及PECVD Bianca、ALD SiCO等。

　　对于半导体设备推陈出新的速率进一步加快这一现象，吕光泉在业绩会上表示，半导体芯片制程和技术迭代速度持续加快，行业已逐步迈入后摩尔时代，半导体领域的新结构、新材料不断涌现。在制程层面，随着尖端芯片技术节点逐步逼近摩尔定律极限的大背景下，全环绕栅极（GAA）、背面供电等核心技术应运而生，高K（High-K）金属栅等特殊材料的应用愈发重要。

　　在结构层面，数据量爆发式增长快速驱动高带宽存储器（HBM）向三维集成等方向演进，3D NAND Flash芯片堆叠层数不断提高，这些技术发展趋势将同时拉动下游客户对半导体设备的技术和需求量的提升，公司将持续在薄膜沉积设备和三维集成设备的领域深耕。

　　据公开报道，今年四季度以来，存储现货行情整体维持强势上涨的态势，新的需求不断接受新的报价，为存储厂商提供了更强的涨价信心，进而推动相关成品价格不断突破前高。

　　对此，吕光泉认为，存储价格上升反映出存储芯片市场仍有较大的需求量，从中长期来看，这可能拉动存储芯片制造厂持续扩大产能。

　　随着存储芯片制程的推进及结构趋于复杂化，对先进硬掩模和关键介质薄膜的性能要求越来越高，同时，驱动了高带宽存储器（HBM）向三维集成等方向演进，3D NAND Flash芯片堆叠层数不断提高，这些技术发展趋势都将大幅拉动薄膜设备的需求量。

　　从订单情况和市场推广方面来看，吕光泉在业绩会上向《科创板日报》记者表示，拓荆科技目前PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜设备系列产品及先进键合系列产品在存储芯片制造领域已实现产业化应用，目前在手订单饱满，如果后续下游客户进一步扩产，预计将持续拉动对该等产品的需求量。

　　吕光泉进一步表示，在键合设备方面，公司晶圆对晶圆混合键合设备获得重复订单，研发的新一代高速高精度晶圆对晶圆混合键合产品已发货至客户端验证，芯片对晶圆混合键合设备验证进展顺利，此外，公司已开发完成永久键合后晶圆激光剥离产品。

　　产能方面，“公司目前主要在沈阳、上海临港设有产业化基地，总体可以支撑超过700台套/年产能，公司正在建设沈阳二厂，将进一步扩大未来公司产能支撑能力。”吕光泉如是说。

（文章来源：科创板日报）