中微公司在等离子体刻蚀技术领域再次实现重大突破
中微半导体设备（上海）股份有限公司宣布通过不断提升反应台之间气体控制的精度，ICP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star®又取得新的突破，反应台之间的刻蚀精度已达到0.2A（亚埃级）。这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上，均得到了验证。该精度约等于硅原子直径2.5埃的十分之一，是人类头发丝平均直径100微米的500万分之一。这是等离子体刻蚀技术领域的又一次创新突破。
（文章来源：财联社）
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