机构：2027年底DRAM预计将迈入个位数纳米技术节点
2月18日，TechInsights最新报告指出，2025年第一季度，市场上将首次推出D1c的一小部分产品，首先由SK海力士推出。D1c世代将在2026年和2027年占据主导地位，包括HBM4 DRAM应用。未来AI和数据中心将需要更高的单个裸晶的内存容量，例如32Gb、48Gb或64Gb芯片，但目前市场上主流仍是16Gb裸晶。在更高密度的DRAM芯片中，应开发3D DRAM架构，如4F2垂直沟道晶体管 (VCT) 单元、IGZO DRAM单元或3D堆叠DRAM单元，并在10纳米以下级别节点（个位数节点）实现产品化，尤其是三星、SK海力士和美光等主要厂商，作为下一代DRAM缩放的候选方案。D1a和D1b是市场上的主流产品。到2027年底，该机构预计DRAM将迈入个位数纳米技术节点，如D0a，随后将是0b和0c世代。
（文章来源：界面新闻）
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