机构：预计2027年底DRAM将迈入个位数纳米技术节点
TechInsights平台上发布报告称，2025年第一季度，市场上将首次推出D1c的一小部分产品，首先由SK海力士推出。D1c世代将在2026年和2027年占据主导地位，包括HBM4 DRAM应用。从市场角度看，HBM产品，尤其是HBM3和HBM3E，性能卓越但目前价格高昂，而传统产品如LPDDR5和DDR5器件则价格较低且性能相对较弱。未来AI和数据中心将需要更高的单个裸晶的内存容量，例如32 Gb、48 Gb或64 Gb芯片，但目前市场上主流仍是16 Gb裸晶。在更高密度的DRAM芯片中，应开发3D DRAM架构，如4F2垂直沟道晶体管 (VCT) 单元、IGZO DRAM单元或3D堆叠DRAM单元，并在10纳米以下级别节点（个位数节点）实现产品化，尤其是三星、SK海力士和美光等主要厂商，作为下一代DRAM缩放的候选方案。D1a和D1b是市场上的主流产品。到2027年底，我们预计DRAM将迈入个位数纳米技术节点，如D0a，随后将是0b和0c世代。
（文章来源：财联社）
网友评论
郑重声明：
1.根据《证券法》规定，禁止编造、传播虚假信息或者误导性信息，扰乱证券市场；2.用户在本社区发表的所有资料、言论等仅代表个人观点，与本网站立场无关，不对您构成任何投资建议。用户应基于自己的独立判断，自行决定证券投资并承担相应风险。
《东方财富社区管理规定》
热门评论
查看全部评论
全部评论
最新
最热
最早
胡喜紧
2025-02-18 15:08:45
来自 广东
北京君正油上榜了？
置顶
删除
举报
评论
点赞
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
