台积电大举投资之际 三星据悉将砍掉代工部门一半支出!
2025年01月24日 15:47
来源: 财联社
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  财联社1月24日讯 高端芯片代工厂的竞争正趋于白热化,这促使代工厂增加资本支出,以满足客户对最新节点的生产需求。然而,在这一大势之下,三星据称将削减其代工部门的支出。

  据媒体引述消息人士的话称,三星代工部门将在新的一年中将资本支出削减一半以上,仅拨款5万亿韩元(约35亿美元),而去年这一数字为10万亿韩元。过去近10年来,三星每年都在芯片代工和内存生产商投入数十亿美元。

  这一策略的变更可能反映出三星在客户需求上面临麻烦,以及公司希望提高效率的意愿。三星据悉在先进制造工艺上一直延期且良品率频频低于预期,导致其很难吸引到大型客户。

  消息还称,三星位于韩国平泽工厂,负责生产4-7纳米级芯片的生产线的利用率下降了30%以上。

  与此同时,台积电在上周表示,今年将大幅增加资本支出,为明年生产2纳米级芯片做准备。英特尔也表示将积极参与2纳米级芯片的竞争,预计将小幅增加其资本支出。

  攻守分化

  三星可能将把2025年的重点放在韩国华城工厂的S3和平泽工厂的P2设施之上。S3中3纳米芯片的产线可能部分升级为2纳米,这几乎不需要添置大量的全新生产设备就可以实现。

  而到2025年,P2预计将安装一条1.4纳米芯片的测试线,月产能预估在2000-3000片晶圆。此外,三星还将对其他地区的工厂进行小规模投资,如其位于美国的泰勒工厂,计划是升级现有晶圆厂,而不是扩大产能。

  这种保守策略与台积电的疯狂扩张形成鲜明对比。台积电计划在2025年投资380亿-420亿美元的资金,较2024年的297.6亿美元显著增加。其中70%的投资将流入先进工艺,10-20%则被分配给特殊技术,剩下的部分投向先进封装、测试、掩模制造和其他领域。

  这也与台积电在2025年下半年量产2纳米芯片的规划相符。台积电声称,计划中的2纳米试生产芯片数量高于此前3纳米和4纳米芯片的试生产数量,这代表着该公司将需要更多的2纳米产能。

  英特尔则也计划在今年晚些时候提高其18A制造工艺的芯片生产数量,同时为下一代节点进行准备。业内预计,该公司今年的资本支出将从2024年的110亿-130亿提高至120亿-140亿美元。

(文章来源:财联社)

文章来源:财联社 责任编辑:10
原标题:台积电大举投资之际 三星据悉将砍掉代工部门一半支出!
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