道氏技术委托电子科技大学进行超薄金属锂负极研发
道氏技术12月11日公告，公司近日与电子科技大学签署《项目技术委托开发合同》，委托电子科技大学进行超薄金属锂负极的研发，包括单面/双面锂覆铜超薄锂负极带材的开发和自支撑超薄锂负极带材的开发，合作期限为2024年12月2日至2027年12月1日。
该项目开发低成本、卷对卷的新型量产制备，应用连续化、大面积、超薄化制备工艺，实现超薄锂负极活性层最大厚度不超过20μm，生产成本远低于传统的机械辊压法，开拓超薄锂负极在高能量密度、高安全性锂二次电池，包括固态锂电池中的应用。
此次研发合作，采取校企联合机制，促进科研成果产业化。结合公司具备在固态电池用单壁碳纳米管、高镍三元前驱体、硫化物电解质、富锂锰基前驱体和硅基负极等材料上的产品优势，以及在人工智能驱动的研发（AI4R&D）方面与湖南大学刘杰教授团队的战略合作，在固态正极材料、负极材料、导电剂等先进材料开发与验证及在固态电池应用适配上与安徽安瓦新能源科技有限公司合作，公司将形成固态电池的全材料解决方案，推动固态电池行业发展。
此次研发合作，有利于提升公司研发能力及未来盈利能力，增强公司的整体竞争实力和市场竞争优势，符合公司长期发展战略以及公司及全体股东的利益。
（文章来源：上海证券报·中国证券网）
