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证券时报e公司讯,中国电子材料行业协会今日官微消息,在西部(重庆)科学城,总投资约300亿元的三安意法半导体项目进入收尾阶段,其中,8英寸SiC衬底厂预计本月投产,比原计划提前2个月。据了解,三安意法半导体项目包含建设一座8英寸SiC晶圆(芯片)厂和配套的一座8英寸SiC衬底厂,预计总投资约300亿元人民币,将整合8英寸车规级SiC衬底、外延、芯片的研发与制造。
(文章来源:证券时报网)
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