新型薄膜半导体电子迁移速度创纪录
摘要
【新型薄膜半导体电子迁移速度创纪录】据美国趣味科学网站16日报道，来自美国麻省理工学院、美国陆军作战能力发展司令部（DEVCOM）陆军研究实验室和加拿大渥太华大学等机构的科学家，利用名为三元石英的晶体材料，成功研制出一种新型超薄晶体薄膜半导体。薄膜厚度仅100纳米，约为人头发丝直径的千分之一。其中电子的迁移速度创下新纪录，约为传统半导体的7倍。这一成果有助科学家研制新型高效电子设备。相关论文发表于《今日材料物理学》杂志。
据美国趣味科学网站16日报道，来自美国麻省理工学院、美国陆军作战能力发展司令部（DEVCOM）陆军研究实验室和加拿大渥太华大学等机构的科学家，利用名为三元石英的晶体材料，成功研制出一种新型超薄晶体薄膜半导体。薄膜厚度仅100纳米，约为人头发丝直径的千分之一。其中电子的迁移速度创下新纪录，约为传统半导体的7倍。这一成果有助科学家研制新型高效电子设备。相关论文发表于《今日材料物理学》杂志。
（文章来源：财联社）
