晶合集成:55纳米单芯片、高像素背照式图像传感器批量量产
2024年04月09日 10:19
来源: 界面新闻
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  晶合集成官微4月9日消息,继90纳米CIS和55纳米堆栈式CIS实现量产之后,该公司CIS再添新产品。晶合集成55纳米单芯片、高像素背照式图像传感器(BSI)近期迎来批量量产,实现赋能智能手机的不同应用场景,并由中低端向中高端应用跨越式迈进。晶合集成方面表示,公司规划CIS产能将在今年内迎来倍速增长,出货量占比将显著提升,成为显示驱动芯片之外的第二大产品主轴。

(文章来源:界面新闻)

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原标题:晶合集成:55纳米单芯片、高像素背照式图像传感器批量量产
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