第三代半导体商业化进程加速 东芝新一代SiC MOSFET即将量产 瞄准数据中心和车载需求
2022年08月05日 08:44
来源: 财联社
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【第三代半导体商业化进程加速 东芝新一代SiC MOSFET即将量产 瞄准数据中心和车载需求】东芝近日官网宣布,第三代SiC MOSFET(碳化硅场效应管)计划在今年8月下旬开始量产。据了解,该新产品使用全新的器件结构,具有低导通电阻,且开关损耗与第二代产品相比降低了约20%。

  在第三代半导体的商业化道路上,日本厂商又添了一把力。

  东芝近日官网宣布,第三代SiC MOSFET(碳化硅场效应管)计划在今年8月下旬开始量产。据了解,该新产品使用全新的器件结构,具有低导通电阻,且开关损耗与第二代产品相比降低了约20%。

  东芝的第二代SiC MOSFET量产于2020年8月。今年一季度,东芝宣布在内部生产用于功率半导体的SiC外延片,并且投资55亿用于功率器件扩产,包括建设8英寸的碳化硅氮化镓生产线。

  东芝表示,未来这种“外延设备+外延片+器件”的IDM模式,有利于他们抢占铁路、海上风力发电、数据中心以及车载等市场。

  ▍SiC商业化进程加速本土厂商靠新能源车、光伏赢得入场机会

  SiC在高压、高功率应用场景下性能优越,适用于600V以上高压场景,因此电动车及光伏等热门场景对SiC的需求相当旺盛。Wolfspeed、英飞凌以及意法半导体等多家国外企业已经陆续宣布扩产。

  从竞争格局上看,目前海外龙头(Wolfspeed、II-VI占据60%以上市场份额)已实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家(天岳先进、天科合达、晶盛机电露笑科技等)以小尺寸为主、向6英寸进军。

  性价比是决定SiC器件大批量使用的关键,衬底制备为SiC性价比提升的核心,也是技术壁垒最高环节。

  国内碳化硅衬底龙头天岳先进在近期宣布签订14亿元大单。就此,中金证券近日发布研报称,这从一定程度上体现出SiC器件渗透率呈现快速提升,产业链各环节市场规模有望迎来快速成长期,另一方面也反映出国内材料企业在N型SiC导电型衬底方面的技术实力及产能规模都在不断增强。SiC行业的落地在今年内已开始呈明显加速趋势。

  中金公司则称,在新能源车、光伏发电等重点行业终端出货量快速成长,叠加SiC渗透率提升且短期内器件价格降幅有限的背景下,2022-2024年SiC器件市场规模有望迎来增速最快的三年周期。

  该机构分析师进一步表示,中国相关供应商虽起步较晚,但得益于新能源车、光伏逆变器本土品牌商市场份额提升,国内企业获得了入场机会,国内SiC器件供应商有望把握本土化机会,复制硅基IGBT时代辉煌,拥有全产业一体化(材料、制造、封测)能力的企业存在着更大的竞争优势,建议关注三安光电斯达半导华润微等上市公司以及部分技术领先的未上市企业。

(文章来源:财联社)

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原标题:第三代半导体商业化进程加速 东芝新一代SiC MOSFET即将量产 瞄准数据中心和车载需求
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